由于薄膜太陽能電池工藝可以有效降低硅材料的消耗，從而大大地降低成本，而且能夠保證轉換效率，因此成為當今科學 研究 和光伏產(chǎn)業(yè)的熱點。銅銦硒薄膜曾被認為是理想的光伏材料，電池效率可以達到15%，然而其制備過程中需要對主要半導體工藝參數(shù)精確控制及原材料不足嚴重制約著其生產(chǎn)和發(fā)展。碲化鎘薄膜太陽能電池在可見光段有很高的吸收系數(shù)，太陽能電池轉換效率可以達到10%以上，然而鎘是有毒元素，在生產(chǎn)和使用過程中會對環(huán)境造成不良影響。非晶硅薄膜禁帶光吸收性比較強，電池只需做到幾微米厚，但是其光致衰退現(xiàn)象非常嚴重，大大降低了人們對它的熱情。多晶硅薄膜能夠克服以上幾種薄膜的缺點，從而成為當前 研究 的重點和未來發(fā)展的趨勢。
目前，多晶硅薄膜常用的制備方法有等離子體增強化學氣相沉積，熱絲化學氣相沉積，準分子激光晶化，固相晶化，快速熱處理等?，F(xiàn)有 研究 采用真空蒸鍍法制備非晶薄膜后經(jīng)鋁誘導晶化得到多晶硅薄膜。相比其它方法，該方法具有工藝簡單，晶化溫度較低，晶化時間較短，薄膜晶化率較高，晶粒尺寸較大等特點。通過原子力顯微鏡、拉曼光譜等 分析 手段深入 研究 了襯底距離、襯底溫度、退火溫度等對薄膜表面形貌、晶粒尺寸和分布以及晶化率的影響。
實驗原料為純度99.99%的多晶硅粉末。電阻蒸發(fā)源為高純度的石墨片，尺寸為80mm×5.8mm×1.7mm。采用普通玻璃為襯底，先用去離子水清洗，再分別用丙酮、無水乙醇超聲清洗5min，最后用去離子水清洗干凈，表面皿中烘干。用DM-450A型真空鍍膜機在玻璃襯底表面蒸鍍一層非晶硅薄膜，并在非晶硅薄膜表面蒸鍍1層相對較薄的鋁膜，通過調節(jié)不同的工藝參數(shù)制備出若干樣品。將樣品放入箱式電阻爐中，在300-500℃下真空退火一定時間。將樣品置于標準鋁腐蝕液中腐蝕以去除表面殘留的鋁。
采用真空蒸鍍的方法在玻璃襯底上沉積1層非晶硅薄膜，再通過鋁誘導晶化的方法可以制備出晶粒分布較均勻、晶粒尺寸0.5-5μm、晶化率達到89%的多晶硅薄膜。襯底距離對薄膜的表面形貌有明顯影響，適中的襯底距離得到的薄膜晶粒分布均勻、表面平整度好，薄膜厚度較大。襯底溫度和退火溫度對薄膜的晶化率影響顯著，在實驗條件下，薄膜的晶化率隨著襯底溫度的提高而增大；隨著退火溫度的提高，薄膜的晶化率增大，當溫度達到500℃時晶化率達到最大值，退火溫度進一步提高，薄膜的晶化率反而降低。
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