該電池采用交錯背接觸結構(IBC)，正負電極均采用多晶硅氧化層(POLO)技術實現(xiàn)鈍化接觸。普通雙面電極的電池在使用鈍化接觸(包括HIT在內)時，雖然提高了鈍化效果和電壓，但由于鈍化層對光的吸收，電流有所損失，因此將鈍化接觸用在正面無遮擋的背接觸設計中就成為了一個兩全齊美的解決方案。日本鐘化公司正是采用異質結背接觸技術取得了目前單晶硅電池的世界最高效率。此次ISFH效率達到26.1%效率的電池采用了FZ法的p型單晶硅片，電池面積4cm2，開路電壓726.6mV，短路電流密度42.6 mA/cm2，填充因子84.3%。
ISFH的Rolf Brendel教授表示，“我們的 研究 表明n型硅，硼擴散和非晶硅都不是高效太陽能電池的必要因素，提高太陽能電池效率還有其他的技術路徑。”
下面就讓我們看一下ISFH的POLO-IBC工藝，記住這里的圖例，一會兒可能還要回來看。
首先使用熱生長在硅片兩面得到2.2nm氧化層，LPCVD沉積本征多晶硅
使用硼離子注入將背面的多晶硅摻雜為p型
背面使用光刻技術開孔，留光刻膠作為阻隔層，兩面離子注入進行磷摻雜，背面得到交錯的p和n摻雜區(qū)域
高溫退火，在這一步中，正反兩面的鈍化薄層氧化硅厚度減少，局部形成微孔，而這也是POLO技術的核心，通過微孔(主導)和隧穿共同實現(xiàn)電流的導通，POLO技術可以看作是納米尺度的背面局部接觸(PERC)。同時在這一步工藝中，兩面生長氧化層，正面摻雜的多晶硅對硅片起到吸雜(Gettering)的效果
去除正面氧化層，再使用光刻技術對背面氧化層開孔
使用KOH刻蝕，正面制絨，背面斷開摻雜區(qū)域的銜接
ALD生長20nm的AlOx用作鈍化，正面再用PECVD覆蓋SiNy/SiOz的減反射層，背面只覆蓋SiOz
再次使用光刻對金屬接觸區(qū)域開孔
背面蒸鍍鋁電極，然后濺射氧化硅
最后使用化學法除去分隔溝中的金屬，完成被電極的分離。
整套工藝可以說還是相對復雜，并且使用了多次光刻和需對準的工藝。ISFH的技術人員也了解這一問題，目前正 研究 如何使用激光技術替換掉光刻。
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